Co je architektura V-NAND a čím se liší od stávající technologie? Paměť flash od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby se pokoušela zkrátit délku a šířku buněk a vměstnat je do současných zmenšujících se rozměrů součástí. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limitů hustoty běžné planární architektury NAND. Zvyšte výkon pomocí špičkového disku 3D V-NAND SSD Paměť NAND flash,... Celý popis

Koupit za 1 469 Kč
  • Od nejoblíbenějších
  • Od nejlevnějších
  • Od nejdražších

Popis

Co je architektura V-NAND a čím se liší od stávající technologie? Paměť flash od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby se pokoušela zkrátit délku a šířku buněk a vměstnat je do současných zmenšujících se rozměrů součástí. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limitů hustoty běžné planární architektury NAND. Zvyšte výkon pomocí špičkového disku 3D V-NAND SSD Paměť NAND flash, založená na špičkové technologii 3D V-NAND od společnosti Samsung, poskytuje mimořádný výkon při čtení a zápisu, a to při sekvenčních i náhodných operacích. Mimořádně působivého výkonu dosahuje zejména model s kapacitou 128 GB*, který svou rychlostí zápisu překonává podobné modely na trhu o více než 100 MB/s. * Rychlost sekvenčního zápisu disku 850 PRO 128 GB: 470 MB/s Přeřaďte na vyšší stupeň s rozšířeným režimem RAPID Pomocí režimu RAPID můžete v případě potřeby zvýšit výkon čtení i zápisu u disku s libovolnou kapacitou. Podobně jako při řazení v automobilu vám software Magician umožňuje zvýšit výkon prostřednictvím zpracování dat na systémové úrovni s využitím volné paměti počítače (DRAM) jako mezipaměti, čímž v režimu RAPID poskytuje 1,8 krát vyšší výkon*. * Hodnocení PCMark Vantage (512 GB): 53.000 > 97.000 (v režimu RAPID)Disk SSD, který Vás nikdy nenechá na holičkáchDíky dvojnásobné výdrži než předchozí model* bude disk 850 PRO pracovat tak dlouho jako vy. Technologie V-NAND od společnosti Samsung je navržena tak, aby zvládala 150 zapsaných terabajtů (TBW), což odpovídá dennímu pracovnímu zatížení při čtení a zápisu 40 GB po dobu 10 let. Tento disk se navíc dodává s 10letou omezenou zárukou, která patří k nejvyšším v oboru. * 840 PRO: 73 TBW > 850 PRO: 150 TBW Pracujte déle díky inovacím zvyšujícím účinnost Účinné součásti na správu napájení disku 850 PRO Vám umožňují pracovat déle a produktivněji. Disk 850 PRO, který se může pochlubit nejnižší spotřebou při plném využití mezi všemi disky SSD, spotřebovává méně energie a zároveň si udržuje špičkový výkon. Disk 850 PRO plně podporuje spánkový režim v počítačích Ultrabook™, ve kterém spotřebovává pouze 2 mW energie. Mezipaměť LPDDR2 navíc poskytuje vyšší výkon a zároveň má o 30% nižší spotřebu energie v aktivním režimu a o 93% nižší spotřebu energie při nečinnosti než běžné paměti DDR2 nebo DDR3.Technické specifikace Základní funkce Aplikace: Klientské počítače Kapacita: 256 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle sdružení IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší v závislosti na formátování, rozdělení na oddíly, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech. Typ zařízení: Velikost 2,5" Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s Storage Memory: Samsung 3D V-NAND s 32 vrstvami Controller: Tříjádrový řadič Samsung MEX Cache Memory: Mezipaměť Samsung 512 MB DDR2 SDRAM s nízkým příkonem Rozměry (Š X V X H): Rozměry 100 x 69,85 x 6,8 mm Váha: Hmotnost maximálně 66 g Speciální funkce TRIM Support: Podpora příkazu TRIM S.M.A.R.T. Support: Podpora technologie S.M.A.R.T. GC (Garbage Collection): Algoritmus automatického uvolňování paměti Encryption: Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaná jednotka) WWN Support: Podpora identifikátoru WWN (World Wide Name) Device Sleep Mode Support: Ano .
Zobrazit více

Parametry

Výrobce Samsung
Kapacita 256 GB
Otáčky SSD
Rozhraní SATA 6Gb/s
SSD ano
Hmotnost 86 g